텔루륨 조작

**텔루륨** (₅₂Te)
텔루륨 개요
영어명	Tellurium
한자명	碲
표준 원자량; Ar, 표준(Te)	127.60 ± 0.03; 127.60 ± 0.03 (축약)
주기율표에서의 텔루륨
	Sb ← Te → I
원자 번호 (Z)	52
족	16 (칼코겐 원소)
주기	5 주기
구역	p-구역
화학 계열	준금속
전자 배열	[Kr] 4d10 5s2 5p4
준위별; 전자 수	2, 8, 18, 18, 6
물리적 성질
상태 (STP)	고체
녹는점	722.66 K (449.51 °C, 841.12 °F)
끓는점	1261 K (988 °C, 1810 °F)
밀도 (상온 근처)	6.24 g/cm3
액체(녹는점)일 때	5.70 g/cm3
융해열	17.49 kJ/mol
기화열	114.1 kJ/mol
몰열용량	25.73 J/(mol·K)
원자의 성질
산화 상태	−2, −1, 0, +1, +2, +3,; +4, +5, +6; (약한 산성 산화물)
전기 음성도	폴링 척도: 2.05
이온화 에너지	1차: 869.3 kJ/mol; 2차: 1790 kJ/mol; 3차: 2698 kJ/mol
원자 반지름	140 pm, (실험값)
공유 반지름	138±4 pm
반데르발스; 반지름	206 pm
	; 텔루륨의 스펙트럼선
그 밖의 성질
자연 발생	태고, 원시
결정 구조;	마름모계
음속 (얇은 막대)	2610 m/s (20 °C)
열팽창	18 µm/(m·K) (실온)
열전도율	1.97–3.38 W/(m·K)
자기 정렬	반자성
자기화율; (자화율)	−39.5×10−6 cm3/mol
영률	43 GPa
전단 탄성 계수	16 GPa
부피 탄성 계수	65 GPa
모스 굳기계	2.25;
브리넬 굳기	180–270 MPa
CAS 번호	13494-80-9
역사
발견	프란츠 조셉 뮐러 폰 라이첸스타인 (1782)
최초 분리	마르틴 하인리히 클라프로트 (1795)
텔루륨의 주요 동위원소
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텔루륨 조작; Tellurium Manipulation
	텔루륨의 모습.
힘/능력:	텔루륨을 조작하십시오.

개요[]

텔루륨을 조작하는 능력. 준금속 조작(Metalloid Manipulation)과 주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)의 하위 능력. 반텔루륨 조작(Anti-Tellurium Manipulation)의 반대 능력.

다른 이름[]

碲操作/造作
Tellurium Control
Telluriumokinesis

상세[]

사용자는 준금속인 텔루륨을 생성, 조작, 변형, 파괴, 복원할 수 있습니다. 이를 이용해 여타 다른 촉매 원소들 처럼 촉매로 사용하거나 반도체 및 전기, 전자 분야에 쓸 수 있습니다.

텔루륨은 화학 원소로 기호는 Te이고 원자 번호는 52입니다. 그것은 부서지기 쉽고, 약간 독성이 있으며, 희귀한 은백색의 준금속입니다. 텔루륨은 화학적으로 셀레늄과 황과 관련이 있는데, 세 가지 모두 칼코겐입니다. 때때로 원소의 결정체 형태로 발견되기도 합니다. 텔루륨은 지구보다 우주 전체에서 훨씬 더 흔합니다. 지구의 지각에서 백금과 비교할 수 있는 그것의 극단적인 희귀성은 부분적으로 지구의 뜨거운 성운 형성 동안 텔루륨이 가스로 우주로 사라지게 한 휘발성 하이드라이드의 형성 때문입니다.^[2]

양상 및 용례[]

기본기[]

텔루륨 탐지(Tellurium Detection)
텔루륨 염동력(Tellurium-Telekinesis)

심화/응용[]

전투 계열[]

텔루륨 공격(Tellurium Attacks)
텔루륨 방어(Tellurium Defense)
텔루륨 전투(Tellurium Combat)

조작 계열[]

텔루륨 연마(Tellurium Polishing)
텔루륨 흡수(Tellurium Absorption)
텔루륨 추출(Tellurium Extraction)
텔루륨 연성 조작(Tellurium Ductility Manipulation)
텔루륨 경도 조작(Tellurium Hardness Manipulation)
텔루륨 강도 조작(Tellurium Strength Manipulation)
텔루륨 피로 조작(Tellurium Fatigue Manipulation)
용융 텔루륨 조작(Molten Tellurium Manipulation)
기체 텔루륨 조작(Gas Tellurium Manipulation)
텔루륨 고체화(Tellurium Solidification)
텔루륨 구축(Tellurium Constructs)
텔루륨 병합(Tellurium Merging)
텔루륨 분리(Tellurium Separation)
텔루륨 파괴(Tellurium Destruction)
텔루륨 복원(Tellurium Restoration)
텔루륨 붕괴 조작(Tellurium Decay Manipulation)
텔루륨 변환(Tellurium Conversion)
텔루륨 생성(Tellurium Generation)

응용 계열[]

텔루륨 독 조작(Tellurium Posion Manipulation)
텔루륨 매개 적외선 지각력(Tellurium Mediation Infrared Perception)
텔루륨 촉매 조작(Tellurium Catalysis Manipulation)
텔루륨 매개 반도체 조작(Tellurium Mediation Semiconductor Manipulation)
텔루륨 와이어 조작(Tellurium Wire Manipulation)
텔루륨 촉수 조작(Tellurium Tentacle Manipulation)
텔루륨 무술(Tellurium Martial Arts)
텔루륨 무기(Tellurium Weaponry)
텔루륨 가루 조작(Tellurium Dust Manipulation)
이동(Movement)
- 텔루륨 비행(Tellurium Flight)
- 텔루륨 서핑(Tellurium Surfing)
미량 텔루륨 조작(Trace Tellurium Manipulation)
생체 텔루륨 조작(Bio-Tellurium Manipulation)
텔루륨 동소체 조작(Tellurium Allotropy Manipulation)
텔루륨 화합물 조작(Tellurium Compound Manipulation)

특수형[]

텔루륨 재생(Tellurium Regeneration)
텔루륨 권한 부여(Tellurium Empowerment)
텔루륨의 기운(Tellurium Aura)
텔루륨 치유(Tellurium Healing)
텔루륨 투명화(Tellurium Invisibility)
텔루륨 부정(Tellurium Negation)
텔루륨 부여(Tellurium Bestowal)

각성기[]

텔루륨 의태(Tellurium Mimicry)
텔루륨 삭제(Tellurium Deletion)
텔루륨 창조(Tellurium Creation)

변형/강화 능력[]

독 조작(Posion Manipulation)
촉매 조작(Catalysis Manipulation)
반도체 조작(Semiconductor Manipulation)
텔루륨 동위원소 조작(Tellurium Isotope Manipulation)
준금속 조작(Metalloid Manipulation)
산소족 조작(Chalcogen Manipulation)
주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)

한계점 및 단점[]

텔루륨을 창조할 수 없고 이미 존재하는 텔루륨만 조작하는 것으로 제한될 수 있습니다.
가장 순수한 형태의 텔루륨이 항상 쉽게 얻어지는 것은 아닙니다.
거리, 질량, 정밀도 등은 사용자의 지식, 기술 및 강도와 그 힘의 자연적인 한계에 따라 달라집니다.
텔루륨의 특정 형태를 조작하는 것으로 제한될 수 있습니다.

각주[]

↑ Standard Atomic Weights: Tellurium (표준 원자량: 텔루륨) 1969 작성
↑ Tellurium (텔루륨) Wikipedia (위키백과)(영어)

[1] Standard Atomic Weights: Tellurium (표준 원자량: 텔루륨) 1969 작성

[2] Tellurium (텔루륨) Wikipedia (위키백과)(영어)

[1]

[2]

초능력 위키