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카드뮴 조작
Cadmium Manipulation
Cadmium crystal bar
카드뮴 덩어리와 육면체.
힘/능력: 카드뮴을 조작하십시오.
카드뮴 (48Cd)
카드뮴 개요
영어명 Cadmium
한자명
표준 원자량
Ar, 표준(Cd)
112.414  ± 0.004
112.41 ± 0.01 (축약)[1]
주기율표에서의 카드뮴
수소 조작 (이원자 비금속)
헬륨 조작 (비활성 기체)
리튬 조작 (알칼리 금속)
베릴륨 조작 (알칼리 토금속)
붕소 조작 (준금속)
탄소 조작 (다원자 비금속)
질소 조작 (이원자 비금속)
산소 조작 (이원자 비금속)
플루오린 조작 (이원자 비금속)
네온 조작 (비활성 기체)
나트륨 조작 (알칼리 금속)
마그네슘 조작 (알칼리 토금속)
알루미늄 조작 (전이후 금속)
규소 조작 (준금속)
인 조작 (다원자 비금속)
황 조작 (다원자 비금속)
염소 조작 (이원자 비금속)
아르곤 조작 (비활성 기체)
칼륨 조작 (알칼리 금속)
칼슘 조작 (알칼리 토금속)
스칸듐 조작 (전이 금속)
티타늄 조작 (전이 금속)
바나듐 조작 (전이 금속)
크로뮴 조작 (전이 금속)
망간 조작 (전이 금속)
철 조작 (전이 금속)
코발트 조작 (전이 금속)
니켈 조작 (전이 금속)
구리 조작 (전이 금속)
아연 조작 (전이후 금속)
갈륨 조작 (전이후 금속)
저마늄 조작 (준금속)
비소 조작 (준금속)
셀레늄 조작 (다원자 비금속)
브로민 조작 (이원자 비금속)
크립톤 조작 (비활성 기체)
루비듐 조작 (알칼리 금속)
스트론튬 조작 (알칼리 토금속)
이트륨 조작 (전이 금속)
지르코늄 조작 (전이 금속)
나이오븀 조작 (전이 금속)
몰리브데넘 조작 (전이 금속)
테크네튬 조작 (전이 금속)
루테늄 조작 (전이 금속)
로듐 조작 (전이 금속)
팔라듐 조작 (전이 금속)
은 조작 (전이 금속)
카드뮴 조작 (전이후 금속)
인듐 조작 (전이후 금속)
주석 조작 (전이후 금속)
안티모니 조작 (준금속)
텔루륨 조작 (준금속)
아이오딘 조작 (이원자 비금속)
제논 조작 (비활성 기체)
세슘 조작 (알칼리 금속)
바륨 조작 (알칼리 토금속)
란타넘족 조작 (란타넘족)
하프늄 조작 (전이 금속)
탄탈럼 조작 (전이 금속)
텅스텐 조작 (전이 금속)
레늄 조작 (전이 금속)
오스뮴 조작 (전이 금속)
이리듐 조작 (전이 금속)
백금 조작 (전이 금속)
금 조작 (전이 금속)
수은 조작 (전이후 금속)
탈륨 조작 (전이후 금속)
납 조작 (전이후 금속)
비스무트 조작 (전이후 금속)
폴로늄 조작 (전이후 금속)
아스타틴 조작 (준금속)
라돈 조작 (비활성 기체)
프랑슘 조작 (알칼리 금속)
라듐 조작 (알칼리 토금속)
악티늄족 조작 (악티늄족)
러더포듐 조작 (전이 금속)
더브늄 조작 (전이 금속)
시보귬 조작 (전이 금속)
보륨 조작 (전이 금속)
하슘 조작 (전이 금속)
마이트너륨 조작 (화학적 특성 불명)
다름슈타튬 조작 (화학적 특성 불명)
뢴트게늄 조작 (화학적 특성 불명)
코페르니슘 조작 (화학적 특성 불명)
니호늄 조작 (화학적 특성 불명)
플레로븀 조작 (전이후 금속)
모스코븀 조작 (화학적 특성 불명)
리버모륨 조작 (화학적 특성 불명)
테네신 조작 (화학적 특성 불명)
오가네손 조작 (화학적 특성 불명)
우누넨늄 조작 (화학적 특성 불명)
운비닐륨 조작 (화학적 특성 불명)
슈퍼악티늄족 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
란타넘 조작 (란타넘족)
세륨 조작 (란타넘족)
프라세오디뮴 조작 (란타넘족)
네오디뮴 조작 (란타넘족)
프로메튬 조작 (란타넘족)
사마륨 조작 (란타넘족)
유로퓸 조작 (란타넘족)
가돌리늄 조작 (란타넘족)
터븀 조작 (란타넘족)
디스프로슘 조작 (란타넘족)
홀뮴 조작 (란타넘족)
어븀 조작 (란타넘족)
툴륨 조작 (란타넘족)
이터븀 조작 (란타넘족)
루테튬 조작 (란타넘족)
악티늄 조작 (악티늄족)
토륨 조작 (악티늄족)
프로트악티늄 조작 (악티늄족)
우라늄 조작 (악티늄족)
넵투늄 조작 (악티늄족)
플루토늄 조작 (악티늄족)
아메리슘 조작 (악티늄족)
퀴륨 조작 (악티늄족)
버클륨 조작 (악티늄족)
캘리포늄 조작 (악티늄족)
아인슈타이늄 조작 (악티늄족)
페르뮴 조작 (악티늄족)
멘델레븀 조작 (악티늄족)
노벨륨 조작 (악티늄족)
로렌슘 조작 (악티늄족)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
운비우늄 조작 (화학적 특성 불명)
운비븀 조작 (화학적 특성 불명)
운비트륨 조작 (화학적 특성 불명)
운비쿼듐 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
Zn

Cd

Hg
AgCdIn
원자 번호 (Z) 48
12
주기 5 주기
구역    d-구역
화학 계열    전이 금속
전자 배열 [Kr] 4d10 5s2
준위별
전자 수
2, 8, 18, 18, 2
물리적 성질
상태 (STP) 고체
녹는점 594.22 K (321.07 °C, 609.93 °F)
끓는점 1040 K (767 °C, 1413 °F)
밀도 (상온 근처) 8.65 g/cm3
액체(녹는점)일 때 7.996 g/cm3
융해열 6.21 kJ/mol
기화열 99.87 kJ/mol
몰열용량 26.020 J/(mol·K)
증기 압력
압력 (Pa) 1 10 100 1 k 10 k 100 k
온도 (K) 530 583 654 745 867 1040
원자의 성질
산화 상태 −2, +1, +2
(약한 염기 산화물)
전기 음성도 폴링 척도: 1.69
이온화 에너지
1차: 867.8 kJ/mol
2차: 1631.4 kJ/mol
3차: 3616 kJ/mol
원자 반지름 151 pm, (실험값)
공유 반지름 144±9 pm
반데르발스
반지름
158 pm
Cadmium spectrum visible
카드뮴의 스펙트럼선
그 밖의 성질
자연 발생 태고, 원시
결정 구조
조밀육방격자 (hcp)
조밀육방격자
음속 (얇은 막대) 2310 m/s (20 °C)
열팽창 30.8 µm/(m·K) (25 °C)
열전도율 96.6 W/(m·K)
열확산율 72.7 mm2/s (300 K)
전도도
(전기 저항도)
15.87 nΩ·m (0 °C)
자기 정렬 반자성
자기화율
(자화율)
−19.8×10−6 cm3/mol
영률 50 GPa
전단 탄성 계수 19 GPa
부피 탄성 계수 42 GPa
푸아송 비 0.30
모스 굳기계 2.0
브리넬 굳기 203–220 MPa
CAS 번호 7440-43-9
역사
발견 및 최초 분리 카를 사무엘 레베레히트
헤르만과 프리드리히 스트로마이어 (1807)
명명자 프리드리히 스트로마이어 (1817)
카드뮴의 주요 동위원소
동위체 붕괴
존재비 반감기
(t12)
모드 DE
(MeV)
DP
106Cd 1.25% 안정
107Cd 합성 6.5 시간 ε 1.417 107Ag
108Cd 0.89% 안정
109Cd 합성 462.6 일 ε 0.214 109Ag
110Cd 12.47% 안정
111Cd 12.80% 안정
112Cd 24.11% 안정
113Cd 12.23% 7.7×1015 년 β 0.580 113In
113mCd 합성 7.7×1015 년 β 0.580 113In
IT 0.264 113Cd
114Cd 28.75% 안정
115Cd 합성 53.46 시간 β 1.446 115In
116Cd 7.51% 3.1×1019 년 ββ 2.809 116Sn

보기  토론  편집


개요[]

카드뮴을 조작하는 능력. 전이 금속 조작(Transition Metal Manipulation)과 주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)의 하위 능력. 반카드뮴 조작(Anti-Cadmium Manipulation)의 반대 능력.

다른 이름[]

  • 鎘操作/造作
  • Cadmium Control
  • Cadmiumokinesis

상세[]

사용자는 원자 번호가 48인 카드뮴을 생성, 조작, 변형, 파괴, 복원할 수 있습니다. 이를 이용해 배터리나 항암제, TV, 제어봉 등에 사용할 수 있으며 뭐니뭐니 해도 독성 물질 용도로 쓸 수 있습니다.

카드뮴은 화학 원소로 기호는 Cd이고 원자 번호는 48입니다. 이 부드럽고 은백색의 금속은 화학적으로 그룹 12의 다른 안정된 금속인 아연과 수은과 비슷합니다. 아연과 같이, 그것은 대부분의 화합물에서 +2의 산화 상태를 보여주며, 수은과 마찬가지로, 그것은 그룹 3에서 11까지의 전이 금속보다 낮은 녹는점을 가지고 있습니다. 카드뮴과 그룹 12의 동류의 원소 또는 일반적인 산화 상태에서 부분적으로 채워진 d 또는 f 전자껍질이 없다는 점에서 종종 전이 금속으로 간주되지 않습니다. 지구 지각의 카드뮴 평균 농도는 0.1에서 0.5 ppm 사이입니다. 그것은 독일에서 모두 스트로마이어와 헤르만에 의해 탄산 아연의 불순물로 1817년에 동시에 발견되었습니다.[2]

양상 및 용례[]

기본기[]

  • 카드뮴 탐지(Cadmium Detection)
  • 카드뮴 염동력(Cadmium-Telekinesis)

심화/응용[]

전투 계열[]

  • 카드뮴 공격(Cadmium Attacks)
  • 카드뮴 방어(Cadmium Defense)
  • 카드뮴 전투(Cadmium Combat)

조작 계열[]

  • 카드뮴 연마(Cadmium Polishing)
  • 카드뮴 흡수(Cadmium Absorption)
  • 카드뮴 추출(Cadmium Extraction)
  • 카드뮴 강화(Cadmium Strengthening)
  • 카드뮴 연성 조작(Cadmium Ductility Manipulation)
  • 카드뮴 경도 조작(Cadmium Hardness Manipulation)
  • 카드뮴 강도 조작(Cadmium Strength Manipulation)
  • 카드뮴 피로 조작(Cadmium Fatigue Manipulation)
  • 용융 카드뮴 조작(Molten Cadmium Manipulation)
  • 기체 카드뮴 조작(Gas Cadmium Manipulation)
  • 카드뮴 고체화(Cadmium Solidification)
  • 카드뮴 구축(Cadmium Constructs)
  • 카드뮴 약화(Cadmium Weakening)
  • 카드뮴 결합(Cadmium Combination)
  • 카드뮴 병합(Cadmium Merging)
  • 카드뮴 분리(Cadmium Separation)
  • 카드뮴 파괴(Cadmium Destruction)
  • 카드뮴 복원(Cadmium Restoration)
  • 카드뮴 붕괴 조작(Cadmium Decay Manipulation)
  • 카드뮴 변환(Cadmium Conversion)
  • 카드뮴 생성(Cadmium Generation)

응용 계열[]

  • 카드뮴 중독 유도(Cadmium Poisoning Inducement)
    • 이타이이타이병 유도(Itai-Itai Disease Inducement)
  • 카드뮴 중독 방지(Cadmium Poisoning Prevention)
  • 카드뮴 중독 치료(Cadmium Poisoning Curing)
  • 카드뮴 배터리 조작(Cadmium Battery Manipulation)
  • 카드뮴 제어봉 조작(Cadmium Control Rod Manipulation)
  • 카드뮴 항암제 조작(Cadmium Anticancer Drug Manipulation)
  • 카드뮴 촉수 조작(Cadmium Tentacle Manipulation)
  • 카드뮴 골렘 조작(Cadmium Golem Manipulation)
  • 카드뮴 광물 조작(Cadmium Mineral Manipulation)
  • 카드뮴 무술(Cadmium Martial Arts)
  • 카드뮴 무기(Cadmium Weaponry)
  • 카드뮴 가루 조작(Cadmium Dust Manipulation)
  • 이동(Movement)
    • 카드뮴 비행(Cadmium Flight)
    • 카드뮴 서핑(Cadmium Surfing)
  • 미량 카드뮴 조작(Trace Cadmium Manipulation)
  • 생체 카드뮴 조작(Bio-Cadmium Manipulation)
  • 카드뮴 화합물 조작(Cadmium Compound Manipulation)

특수형[]

  • 카드뮴 재생(Cadmium Regeneration)
  • 카드뮴 권한 부여(Cadmium Empowerment)
  • 카드뮴의 기운(Cadmium Aura)
  • 카드뮴 치유(Cadmium Healing)
  • 카드뮴 투명화(Cadmium Invisibility)
  • 카드뮴 부정(Cadmium Negation)
  • 카드뮴 부여(Cadmium Bestowal)

각성기[]

  • 카드뮴 의태(Cadmium Mimicry)
  • 카드뮴 삭제(Cadmium Deletion)
  • 카드뮴 창조(Cadmium Creation)

변형/강화 능력[]

  • 전기 배터리 조작(Electric Battery Manipulation)
  • 제어봉 조작(Control Rod Manipulation)
  • 항암제 조작(Anticancer Drug Manipulation)
  • 독 조작(Poison Manipulation)
  • 카드뮴 동위원소 조작(Cadmium Isotope Manipulation)
  • 전이 금속 조작(Transition Metal Manipulation)
  • 주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)

한계점 및 단점[]

  • 카드뮴을 창조할 수 없고 이미 존재하는 카드뮴만 조작하는 것으로 제한될 수 있습니다.
  • 가장 순수한 형태의 카드뮴이 항상 쉽게 얻어지는 것은 아닙니다.
  • 거리, 질량, 정밀도 등은 사용자의 지식, 기술 및 강도와 그 힘의 자연적인 한계에 따라 달라집니다.
  • 카드뮴의 특정 형태를 조작하는 것으로 제한될 수 있습니다.

각주[]

  1. Standard Atomic Weights: Cadmium (표준 원자량: 카드뮴) 2013 작성
  2. Cadmium (카드뮴) Wikipedia (위키백과)(영어)
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