인 조작

인 조작 Phosphorus Manipulation
인 (마블 코믹스)는 둠의 원소 중 하나입니다.
힘/능력:	인을 조작하십시오.

인 (₁₅P)

인 개요
영어명	Phosphorus
한자명	磷
동소체	백, 적, 보라, 흑 그리고 그 외 (인의 동소체 참조.)
표준 원자량 Ar, 표준(P)	30.973761998  ± 0.000000005 30.974 ± 0.001 (축약)
주기율표에서의 인
N ↑ P ↓ As Si ← P → S
원자 번호 (Z)	15
족	15 (질소족 원소)
주기	3 주기
구역	p-구역
화학 계열	비금속
전자 배열	[Ne] 3s2 3p3
준위별 전자 수	2, 8, 5
물리적 성질
상태 (STP)	고체
녹는점	백린: 317.3 K (44.15 °C, 111.5 °F) 적린: ~ 860 K (~ 590 °C, ~ 1090 °F)
끓는점	백린: 553.7 K (280.5 °C, 536.9 °F)
승화점	적린: ≈689.2–863 K (≈416–590 °C, ≈780.8–1094 °F) 청자린: 1148 K (893 °C, 620 °F)
밀도 (상온 근처)	백린: 1.823 g/cm3 적린: ≈2.2–2.34 g/cm3 청자린: 2.36 g/cm3 흑린: 2.69 g/cm3
융해열	백린: 0.66 kJ/mol
기화열	백린: 51.9 kJ/mol
몰열용량	백린: 23.824 J/(mol·K)
증기 압력 (백린) 압력 (Pa) 1 10 100 1 k 10 k 100 k 온도 (K) 279 307 342 388 453 549
증기 압력 (적린) 압력 (Pa) 1 10 100 1 k 10 k 100 k 온도 (K) 455 489 529 576 635 704
원자의 성질
산화 상태	−3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4, +5
전기 음성도	폴링 척도: 2.19
이온화 에너지	1차: 1011.8 kJ/mol 2차: 1907 kJ/mol 3차: 2914.1 kJ/mol
공유 반지름	107±3 pm
인의 스펙트럼선
그 밖의 성질
자연 발생	태고, 원시
결정 구조	체심입방정계
열전도율	백린: 0.236 W/(m·K)
자기 정렬	백린, 적린, 자린, 흑린: 반자성
자기화율 (자화율)	−20.8·10−6 cm3/mol
CAS 번호	7723-14-0 (적린) 12185-10-3 (백린)
역사
발견	헤닉 브랜드 (1777)
인의 주요 동위원소
동위체 붕괴 존재비 반감기 (t 1⁄2) 모드 DE (MeV) DP 31P 100% 안정 32P 합성 14.28 일 β− 1.709 32S 33P 합성 25.3 일 β− 0.249 33S

개요

인을 조작하는 능력. 비금속 조작(Nonmetal Manipulation)의 하위 능력. 반인 원소 조작(Antiphosphorus Manipulation)의 반대 능력. 인듐 조작(Indium Manipulation)과 혼동하지 마십시오.

다른 이름

• 燐操作/造作
• Phosphorus Control
• Phosphoricinokinesis

상세

사용자는 반응성이 높은 인을 제어 및 조작, 생성, 창조, 삭제를 할 수 있으며 이를 이용해 화합물을 만들거나 분해할 수 있습니다. 인은 인산염, 특히 인회석에서 자연적으로 발생하며 백(때때로 노란), 적 그리고 흑, 세 가지 동소체 형태로 존재하는 반응성이 높고, 독성, 비금속 원소입니다.

인은 기호 P와 원자 번호 15를 가진 화학 원소입니다. 원소 인은 백린과 적린, 두 가지 주요한 형태로 존재하지만, 반응성이 높기 때문에 인은 지구상에서 자유 원소로서는 결코 찾아볼 수 없습니다. 그것은 1킬로그램 당 약 1그램의 지구 지각에 농도를 가지고 있습니다. 미네랄에서 인은 일반적으로 인산염으로 발생합니다.

양상 및 용례

기본기

• 인 탐지(Phosphorus Detection)
• 인 염동력(Phosphorus Telekinesis)

심화/응용

전투 계열

• 인 공격(Phosphorus Attacks)
• 인 방어(Phosphorus Defense)
• 인 전투(Phosphorus Combat)

조작 계열

• 인 연마(Phosphorus Polishing)
• 인 흡수(Phosphorus Absorption)
• 인 추출(Phosphorus Extraction)
• 인 강화(Phosphorus Strengthening)
• 인 연성 조작(Phosphorus Ductility Manipulation)
• 인 경도 조작(Phosphorus Hardness Manipulation)
• 인 강도 조작(Phosphorus Strength Manipulation)
• 인 피로 조작(Phosphorus Fatigue Manipulation)
• 용융 인 조작(Molten Phosphorus Manipulation)
• 기체 인 조작(Gas Phosphorus Manipulation)
• 인 고체화(Phosphorus Solidification)
• 인 약화(Phosphorus Weakening)
• 인 파괴(Phosphorus Destruction)
• 인 복원(Phosphorus Restoration)
• 인 붕괴 조작(Phosphorus Decay Manipulation)
• 인 변환(Phosphorus Conversion)
• 인 생성(Phosphorus Generation)

응용 계열

• 인 매개 불 조작(Phosphorus Mediation Fire Manipulation)
• 인 매개 도깨비불 조작(Phosphorus Mediation Will-O'-The-Wisp Generation)
• 인 매개 자외선 생성(Phosphorus Mediation Ultraviolet Generation)
• 인 비료 조작(Phosphorus Fertilizer Manipulation)
• 인 무술(Phosphorus Martial Arts)
• 인 구축(Phosphorus Constructs)
• 인 가루 조작(Phosphorus Dust Manipulation)
• 이동(Movement)
  • 인 비행(Phosphorus Flight)
  • 인 서핑(Phosphorus Surfing)
• 미량 인 조작(Trace Phosphorus Manipulation)
• 생체 인 조작(Bio-Phosphorus Manipulation)
• 인 동소체 조작(Phosphorus Allotropy Manipulation)
• 인 화합물 조작(Phosphorus Compound Manipulation)

특수형

• 인 권한 부여(Phosphorus Empowerment)
• 인 투명화(Phosphorus Invisibility)
• 인 독립(Phosphorus Independence)
• 인 부여(Phosphorus Bestowal)

각성기

• 인 의태(Phosphorus Mimicry)
• 인 삭제(Phosphorus Deletion)
• 인 창조(Phosphorus Creation)

변형/강화 능력

인 관련

• 인 동위원소 조작(Phosphorus Isotope Manipulation)
• 도깨비불 조작(Will-O'-The-Wisp Manipulation)

상위 능력

• 비금속 조작(Nonmetal Manipulation)
• 지면 조작(Earth Manipulation)
• 질소족 조작(Pnictogen Manipulation)
• 주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)

한계점 및 단점

• 능력이 약하거나 불안정할 경우 이미 존재하는 소스에서만 조작하는 것으로 제한되어 인을 창조하지 못할 수 있습니다.
• 거리와 물질의 양은 사용자의 강도와 기술에 따라 달라집니다.
• 제어된 인은 정상적인 인이 될 수 있는 모든 것에 영향을 받지만, 사용자는 인의 힘을 사용하여 인을 원래 모양으로 되돌리고/또는 이러한 힘 아래에서도 인을 제어할 수 있습니다.