인듐 조작

인듐 (₄₉In)
인듐 개요
영어명	Indium
표준 원자량; Ar, 표준(In)	114.818 ± 0.001; 114.82 ± 0.01 (축약)
주기율표에서의 인듐
	Cd ← In → Sn
원자 번호 (Z)	49
족	13
주기	5 주기
구역	p-구역
화학 계열	전이후 금속
전자 배열	[Kr] 4d10 5s2 5p1
준위별; 전자 수	2, 8, 18, 18, 3
물리적 성질
상태 (STP)	고체
녹는점	429.7485 K (156.5985 °C, 313.8773 °F)
끓는점	2345 K (2072 °C, 3762 °F)
밀도 (상온 근처)	7.31 g/cm3
액체(녹는점)일 때	7.02 g/cm3
융해열	3.281 kJ/mol
기화열	231.8 kJ/mol
몰열용량	26.74 J/(mol·K)
원자의 성질
산화 상태	−5, −2, −1, +1, +2, +3; (양쪽성 산화물)
전기 음성도	폴링 척도: 1.78
이온화 에너지	1차: 867.8 kJ/mol; 2차: 1820.7 kJ/mol; 3차: 2704 kJ/mol
원자 반지름	167 pm, (실험값)
공유 반지름	142±5 pm
반데르발스; 반지름	193 pm
	; 인듐의 스펙트럼선
그 밖의 성질
자연 발생	태고, 원시
결정 구조;	체심 정방 정계
음속 (얇은 막대)	1215 m/s (20 °C)
열팽창	32.1 µm/(m·K) (25 °C)
열전도율	81.8 W/(m·K)
전도도; (전기 저항도)	83.7 nΩ·m (20 °C)
자기 정렬	반자성
자기화율; (자화율)	−64.0×10−6 cm3/mol (298 K)
영률	11 GPa
모스 굳기계	1.2;
브리넬 굳기	8.8–10.0 MPa
CAS 번호	7440-74-6
역사
발견	페르디난트 라이히와; 히에로니모우스 테오도어 리히터 (1863)
최초 분리	히에로니모우스 테오도어 리히터 (1864)
인듐의 주요 동위원소
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인듐 조작; Indium Manipulation
	인듐괴의 모습.
힘/능력:	인듐을 조작하십시오.

개요[]

인듐을 조작하는 능력. 전이후 금속 조작(Poor Metal Manipulation)과 주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)의 하위 능력. 반인듐 조작(Anti-Indium Manipulation)의 반대 능력. 인 조작(Phosphorus Manipulation)과 혼동하지 마십시오.

다른 이름[]

銦操作/造作
Indium Control
Indiumokinesis

상세[]

사용자는 원자 번호가 49이자 전이후 금속인 인듐을 생성, 조작, 변형, 파괴, 복원할 수 있습니다. 특히 독성 물질로 쓰거나 와이어를 만들어 극저온과 초고진공에서 사용할 수 있으며 손상과 부식을 방지하기 위한 코팅으로 사용할 수 있습니다.

인듐은 화학 원소로 기호는 In이고 원자 번호는 49입니다. 인듐은 알칼리 금속이 아닌 가장 부드러운 금속입니다. 이것은 은백색의 금속으로 겉모습은 주석과 비슷합니다. 이것은 지각의 0.21 ppm을 차지하는 전이 후 금속입니다. 인듐은 나트륨과 갈륨보다 녹는점이 높지만 리튬과 주석보다는 낮습니다. 화학적으로, 인듐은 갈륨과 탈륨과 비슷하고, 그것의 성질 면에서 대체로 둘 사이의 중간입니다.인듐은 1863년 페르디난트 라이히와 히에로니무스 테오도르 리히터에 의해 분광법으로 발견되었습니다. 그들은 그것의 스펙트럼에 있는 남색 파란색 선을 따서 이름을 지었습니다. 인듐은 다음 해에 분리되었습니다.^[2]

양상 및 용례[]

기본기[]

인듐 탐지(Indium Detection)
인듐 염동력(Indium-Telekinesis)

심화/응용[]

전투 계열[]

인듐 공격(Indium Attacks)
인듐 방어(Indium Defense)
인듐 전투(Indium Combat)

조작 계열[]

인듐 연마(Indium Polishing)
인듐 흡수(Indium Absorption)
인듐 추출(Indium Extraction)
인듐 강화(Indium Strengthening)
인듐 연성 조작(Indium Ductility Manipulation)
인듐 경도 조작(Indium Hardness Manipulation)
인듐 강도 조작(Indium Strength Manipulation)
인듐 피로 조작(Indium Fatigue Manipulation)
용융 인듐 조작(Molten Indium Manipulation)
기체 인듐 조작(Gas Indium Manipulation)
인듐 고체화(Indium Solidification)
인듐 구축(Indium Constructs)
인듐 약화(Indium Weakening)
인듐 병합(Indium Merging)
인듐 분리(Indium Separation)
인듐 파괴(Indium Destruction)
인듐 복원(Indium Restoration)
인듐 붕괴 조작(Indium Decay Manipulation)
인듐 변환(Indium Conversion)
인듐 생성(Indium Generation)

응용 계열[]

인듐 중독 유도(Indium Poisoning Inducement)
인듐 중독 방지(Indium Poisoning Prevention)
인듐괴 조작(Indium Bar Manipulation)
인듐 알칼리 배터리 조작(Indium Alkaline Battery Manipulation)
인듐 LCD 조작(Indium LCD Manipulation)
인듐 와이어 조작(Indium Wire Manipulation)
인듐 제어봉 조작(Indium Control Rod Manipulation)
인듐 촉수 조작(Indium Tentacle Manipulation)
인듐 골렘 조작(Indium Golem Manipulation)
인듐 광물 조작(Indium Mineral Manipulation)
인듐 무술(Indium Martial Arts)
인듐 무기(Indium Weaponry)
인듐 가루 조작(Indium Dust Manipulation)
미량 인듐 조작(Trace Indium Manipulation)
생체 인듐 조작(Bio-Indium Manipulation)
인듐 화합물 조작(Indium Compound Manipulation)

특수형[]

인듐 재생(Indium Regeneration)
인듐 권한 부여(Indium Empowerment)
인듐의 기운(Indium Aura)
인듐 치유(Indium Healing)
인듐 투명화(Indium Invisibility)
인듐 부정(Indium Negation)
인듐 부여(Indium Bestowal)

각성기[]

인듐 의태(Indium Mimicry)
인듐 삭제(Indium Deletion)
인듐 창조(Indium Creation)

변형/강화 능력[]

알칼리 배터리 조작(Alkaline Battery Manipulation)
LCD 조작(LCD Manipulation)
제어봉 조작(Control Rod Manipulation)
독 조작(Poison Manipulation)
인듐 동위원소 조작(Indium Isotope Manipulation)
전이후 금속 조작(Poor Metal Manipulation)
붕소족 조작(Boron Group Manipulation)
주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)

한계점 및 단점[]

인듐을 창조할 수 없고 이미 존재하는 인듐만 조작하는 것으로 제한될 수 있습니다.
가장 순수한 형태의 인듐이 항상 쉽게 얻어지는 것은 아닙니다.
거리, 질량, 정밀도 등은 사용자의 지식, 기술 및 강도와 그 힘의 자연적인 한계에 따라 달라집니다.
인듐의 특정 형태를 조작하는 것으로 제한될 수 있습니다.

각주[]

↑ Standard Atomic Weights: Indium (표준 원자량: 인듐) 2011 작성
↑ Indium (인듐) Wikipedia (위키백과)(영어)

[1] Standard Atomic Weights: Indium (표준 원자량: 인듐) 2011 작성

[2] Indium (인듐) Wikipedia (위키백과)(영어)

[1]

[2]

초능력 위키