| 반도체 조작 Semiconductor Manipulation | |
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| 우리가 흔히 아는 반도체의 모습. | |
| 힘/능력: | 반도체를 조작하십시오. |
개요[]
반도체를 조작하는 능력. 에너지 전도성 조작(Energy Conductivity Manipulation)의 하위 능력. 가전 제품 조작(Consumer Electronics Manipulation)의 변형 능력.
다른 이름[]
- 半導體操作/造作
- Semiconductor Control
- Semiconductor Device Manipulation
상세[]
사용자는 유기물 및 무기물로 이루어진 반도체를 조작, 형상화, 창조, 무력화, 파괴를 할 수 있으며 이를 이용해 반도체의 전도성을 제어하고 전자기기를 조작하거나 중지 및 변경 시키는 등 갖가지 행위를 할 수 있습니다.
반도체 재료는 금속 구리와 같은 도체와 유리와 같은 절연체 사이에 전기 전도성 값이 있습니다. 온도가 증가함에 따라 저항이 감소하며, 이는 금속의 저항과 반대되는 동작입니다. 전도성 특성은 불순물("도핑")을 결정 구조에 고의적으로 제어하여 유용한 방법으로 변경될 수 있습니다. 같은 결정체에 두 개의 도핑된 영역이 있는 경우 반도체 접합부가 생성됩니다. 이러한 접합부의 전자, 이온 및 전자 구멍을 포함하는 충전 캐리어들의 동작은 다이오드, 트랜지스터 및 모든 현대 전자 장치의 기초입니다. 반도체의 예로는 실리콘, 게르마늄, 갈륨 비소나이드, 주기율표의 이른바 '메탈로이드 계단' 근처의 원소 등이 있습니다. 실리콘에 이어 갈륨 비소나이드가 두 번째로 많이 필요한 반도체이며 레이저 다이오드, 태양전지, 극초단파 집적회로 등에 사용된다 실리콘은 대부분의 전자 회로를 제작하는 데 중요한 요소입니다.
반도체 소자는 한 방향으로 전류를 다른 방향보다 더 쉽게 전달하여 가변 저항과 빛이나 열에 대한 민감도 등 다양한 유용한 특성을 표시할 수 있습니다. 반도체 재료의 전기적 특성은 도핑이나 전기장 또는 광의 응용에 의해 수정될 수 있기 때문에, 반도체로 만들어진 기기는 증폭, 전환, 에너지 전환 등에 이용될 수 있습니다.
실리콘의 전도율은 5분위수(안티모니, 인 또는 비소) 원자 또는 3분위수(붕소, 갈륨, 인듐) 원자를 소량 더하여 증가합니다. 이 과정은 도핑으로 알려져 있고 그 결과 반도체는 도핑 또는 엑스트라 반도체로 알려져 있습니다. 도핑을 제외하고, 반도체의 전도성은 온도를 높임으로써 똑같이 향상될 수 있습니다. 이는 온도가 증가함에 따라 전도성이 저하되는 금속의 거동에 반합니다.
반도체의 특성에 대한 현대적 이해는 양자 물리학에 의존하여 결정 격자에서 전하 운반체의 움직임을 설명합니다. 도핑은 결정체 내 충전 캐리어 수를 크게 증가시킵니다. 도핑된 반도체가 대부분 자유 구멍을 포함할 경우 "p-type"이라고 하며, 대부분 자유 전자를 포함할 경우 "n-type"이라고 합니다. 전자장치에 사용되는 반도체 소재는 p형 및 n형 도펀트의 농도와 영역을 제어하기 위해 정밀한 조건에서 도핑됩니다. 단일 반도체 결정에는 많은 p- 및 n-형 영역이 있을 수 있으며, 이들 영역 사이의 p-n 접합부는 유용한 전자적 동작을 담당합니다.
반도체 재료의 특성 중 일부는 20세기 중엽과 첫 수십 년 동안 관찰되었습니다. 전자제품에 반도체를 처음으로 실용화한 것은 1904년 초기 무선 수신기에 사용되는 원시 반도체 다이오드인 고양이의 위스커 검출기의 개발입니다. 양자 물리학의 발전은 결국 1947년 트랜지스터, 1958년 집적 회로, 1959년 MOSFET(금속-산화산소-세모어-전계-효과 트랜지스터)의 개발로 이어졌습니다.[1]
소재의 에너지 전도성[]
- 초부도체 조작(Super-Nonconductor Manipulation)
- 부도체 조작(Nonconductor Manipulation)
- 전도체 조작(Conductor Manipulation)
- 초전도체 조작(Superconductor Manipulation)
양상 및 용례[]
기본기[]
- 반도체 염동력(Semiconductor-Telekinesis)
- 반도체 직관력(Semiconductor Intuition)
- 반도체 유도(Semiconductor Inducement)
심화/응용[]
반도체 능력 목록[]
- 반도체 물리학(Semiconductor Physics)
- 반도체 홀 효과 조작(Semiconductor Hall Effect Manipulation)
- 반도체 에너지 띠 조작(Semiconductor Energy Band Manipulation)
- 반도체 전도성 조작(Semiconductor Conductivity Manipulation)
- 반도체 웨이퍼 조작(Semiconductor Wafer Manipulation)
조작 계열[]
- 반도체 흡수(Semiconductor Absorption)
- 반도체 증강(Semiconductor Augmentation)
- 반도체 성능 향상(Semiconductor Power Enhancement)
- 반도체 오염 유도(Semiconductor Pollution Inducement)
- 반도체 청결 유도(Semiconductor Cleanliness Inducement)
- 반도체 오류 유도(Semiconductor Error Inducement)
- 반도체 오류 제거(Semiconductor Error Removal)
- 반도체 성능 약화(Semiconductor Power Weakening)
- 반도체 경도 조작(Semiconductor Hardness Manipulation)
- 반도체 강성 조작(Semiconductor Stiffness Manipulation)
- 반도체 인성 조작(Semiconductor Toughness Manipulation)
- 반도체 강도 조작(Semiconductor Strength Manipulation)
- 반도체 축소(Semiconductor Reduction)
- 반도체 파괴(Semiconductor Destruction)
- 반도체 복원(Semiconductor Restoration)
응용 계열[]
- 반도체 기반 가전 제품 조작(Semiconductor-Based Consumer Electronics Manipulation)
- 가전 제품 상호작용(Consumer Electronics Interaction)
- 반도체 기반 기계 조작(Semiconductor-Based Machine Manipulation)
- 반도체 기반 전기 회로 조작(Semiconductor-Based Electrical Circuit Manipulation)
- 반도체 기반 정보 조작(Semiconductor-Based Information Manipulation)
- 반도체 기반 이진 코드 조작(Semiconductor-Based Binary Code Manipulation)
- 반도체 집적 회로 조작(Semiconductor Integrated Circuit Manipulation)
- 반도체 산업 조작(Semiconductor Industry Manipulation)
- 반도체 기업 경제 조작(Semiconductor Company Economy Manipulation)
- 반도체 기반 국가 경제 조작(Semiconductor-Based National Economy Manipulation)
- 반도체 소자(Semiconductor Device)
- 다이오드 조작(Diode Manipulation)
- 트랜지스터 조작(Transistor Manipulation)
- 열전소자 조작(Thermoelectric Element Manipulation)
- 반도체 온도 조작(Semiconductor Temperature Manipulation)
특수형[]
- 반도체 재생(Semiconductor Regeneration)
- 반도체 권한 부여(Semiconductor Empowerment)
- 반도체의 기운(Semiconductor Aura)
각성기[]
- 반도체 생리학(Semiconductor Physiology)
- 반도체 삭제(Semiconductor Deletion)
- 반도체 창조(Semiconductor Creation)
변형/강화 능력[]
반도체 관련[]
- 반도체 마법(Semiconductor Magic)
- 반도체 세정(Semiconductor Cleaning)
- 전기/전자 및 컴퓨터 공학/과학(Electrical/Electronic & Computer Engineering/Science)
- 의료기기 조작(Medical Device Manipulation)
- 기계 조작(Machine Manipulation)
- 산업 조작(Industry Manipulation)
- 홀 효과 조작(Hall Effect Manipulation)
- 에너지 띠 조작(Energy Band Manipulation)
반도체 속성[]
- 양자점 조작(Quantum Dot Manipulation)
- 유기 반도체 조작(Organic Semiconductor Manipulation)
- 사이킥 반도체 조작(Psychic Semiconductor Manipulation)
- 영적 반도체 조작(Spiritual Semiconductor Manipulation)
- 희귀 반도체 조작(Esoteric Semiconductor Manipulation)
- 악마의 반도체 조작(Demonic Semiconductor Manipulation)
- 신성한 반도체 조작(Divine Semiconductor Manipulation)
- 메타 반도체 조작(Meta Semiconductor Manipulation)
상위 능력[]
- 기술 조작(Technology Manipulation)
- 광물 조작(Mineral Manipulation)
- 암석 조작(Rock Manipulation)
- 무기물 조작(Inorganic Matter Manipulation)
- 유기물 조작(Organic Matter Manipulation)
- 에너지 전도성 조작(Energy Conductivity Manipulation)
- 규소 조작(Silicon Manipulation)
- 준금속 조작(Metalloid Manipulation)
- 전자기력 조작(Electromagnetic Force Manipulation)
- 전기 조작(Electricity Manipulation)
- 준입자 조작(Quasiparticle Manipulation)
- 전자 조작(Electron Manipulation)
한계점 및 단점[]
- 능력이 약할경우 기존 것으로만 조작이 가능하며 무에서 반도체를 창조할 수 없습니다.
- 거리, 질량, 정밀도 등은 사용자의 지식, 기술 및 강도와 그 힘의 자연 한계에 따라 달라집니다.