규소 조작

규소 (₁₄Si)
규소 개요
영어명	Silicon
한자명	矽, 珪素, 硅素
동소체	규소의 동소체 참조.
표준 원자량; Ar, 표준(Si)	[28.084, 28.086]; 28.085 ± 0.001 (축약)
주기율표에서의 규소
	Al ← Si → P
원자 번호 (Z)	14
족	14 (탄소족 원소)
주기	3 주기
구역	p-구역
화학 계열	준금속
전자 배열	[Ne] 3s2 3p2
준위별; 전자 수	2, 8, 4
물리적 성질
겉보기	암회색, 푸르스름한 색조
상태 (STP)	고체
녹는점	1687 K (1414 °C, 2577 °F)
끓는점	3538 K (3265 °C, 5909 °F)
밀도 (상온 근처)	2.3290 g/cm3
융해열	50.21 kJ/mol
기화열	383 kJ/mol
몰열용량	19.789 J/(mol·K)
원자의 성질
산화 상태	−4, −3, −2, −1, 0, +1,; +2, +3, +4; (양성 산화물)
전기 음성도	폴링 척도: 1.90
이온화 에너지	1차: 786.5 kJ/mol; 2차: 1577.1 kJ/mol; 3차: 3231.6 kJ/mol ; (더 많은)
원자 반지름	111 pm, (실험값)
공유 반지름	111 pm
	; 규소의 스펙트럼선
그 밖의 성질
자연 발생	태고, 원시
결정 구조;	다이아몬드 입방정계
음속 (얇은 막대)	8443 m/s (20 °C)
열팽창	2.6 µm/(m·K)
열전도율	149 W/(m·K)
전도도; (전기 저항도)	2.3×103 Ω·m (20 °C)
자기 정렬	반자성
자기화율; (자화율)	−3.9·10−6 cm3/mol (298K)
영률	130–188 GPa
전단 탄성 계수	51–80 GPa
부피 탄성 계수	97.6 GPa
푸아송 비	0.064–0.28
모스 굳기계	6.5;
CAS 번호	7440-21-3
역사
예견	앙투안 라부아지에 (1787)
발견 및 최초 분리	옌스 야코브 베르셀리우스 (1823)
명명자	토마스 톰슨 (1817)
규소의 주요 동위원소
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규소 조작; Silicon Manipulation
	규소 크로다 사진.
힘/능력:	규소를 조작하십시오.

개요[]

규소를 조작하는 능력. 준금속 조작(Metalloid Manipulation)의 변형 능력. 주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)의 하위 능력. 반규소 조작(Antisilicon Manipulation)의 반대 능력.

다른 이름[]

硅素操作/造作
Silicon Control

상세[]

사용자는 유리 및 광물의 몇몇 성분, 실리콘 폴리머(Silicone Polymers)에 쓰이며 유기물에도 약간 있는 규소를 생성, 창조, 삭제, 변환, 구축, 조작할 수 있습니다.

실리콘은 Si 기호와 원자 번호 14를 가진 화학 원소입니다. 단단하고 부서지기 쉬운 결정체로 청회색의 금속성 광택을 가지고 있으며, 4원자 준금속과 반도체입니다. 그것은 주기율표에서 14족의 구성원입니다: 탄소는 그 위에 있고, 게르마늄, 주석, 납은 그 아래에 있습니다. 그것은 상대적으로 활동적이지 않습니다. 산소에 대한 높은 화학적 친화성 때문에, 옌스 야코브 베르셀리우스가 처음으로 그것을 준비하고 순수한 형태로 특징지을 수 있었던 것은 1823년이 되어서입니다. 각각 1414 °C와 3265 °C의 용해와 끓는점은 모든 금속과 비금속 중에서 두 번째로 높으며 붕소를 능가할 뿐입니다. 규소는은 질량에 비해 우주에서 여덟 번째로 흔한 원소이지만, 지각의 순수한 원소로서는 거의 발생하지 않습니다. 이산화규소(실리카)나 규산염의 다양한 형태로 먼지, 모래, 미행성, 행성에 가장 널리 분포하고 있습니다. 지구 지각의 90% 이상이 규산염 광물로 이루어져 있어, 실리콘은 산소 다음으로 지구 지각에서 가장 풍부한 원소이다(질량 기준 약 28%)가 됩니다.^[2]

양상 및 용례[]

기본기[]

규소 탐지(Silicon Detection)
규소 염동력(Silicon Telekinesis)

심화/응용[]

전투 계열[]

규소 공격(Silicon Attacks)
규소 방어(Silicon Defense)
규소 전투(Silicon Combat)

조작 계열[]

규소 연마(Silicon Polishing)
규소 흡수(Silicon Absorption)
규소 추출(Silicon Extraction)
규소 강화(Silicon Strengthening)
규소 연성 조작(Silicon Ductility Manipulation)
규소 경도 조작(Silicon Hardness Manipulation)
규소 강도 조작(Silicon Strength Manipulation)
규소 피로 조작(Silicon Fatigue Manipulation)
액체 규소 조작(Liquid Silicon Manipulation)
기체 규소 조작(Gas Silicon Manipulation)
규소 고체화(Silicon Solidification)
규소 구축(Silicon Constructs)
규소 약화(Silicon Weakening)
규소 파괴(Silicon Destruction)
규소 복원(Silicon Restoration)
규소 붕괴 조작(Silicon Decay Manipulation)
규소 변환(Silicon Conversion)
규소 생성(Silicon Generation)

응용 계열[]

건축 관련 재료(Architecture-Related Material)
- 실리콘 조작(Silicone Manipulation)
규소 매개 유리 조작(Silicon Mediation Glass Manipulation)
규소 매개 광물 조작(Silicon Mediation Mineral Manipulation)
- 규산염 광물 조작(Silicate Mineral Manipulation)
규소 와이어 조작(Silicon Wire Manipulation)
규소 웨이퍼 조작(Silicon Wafers Manipulation)
규소 무술(Silicon Martial Arts)
규소 가루 조작(Silicon Dust Manipulation)
이동(Movement)
- 규소 비행(Silicon Flight)
- 규소 서핑(Silicon Surfing)
미량 규소 조작(Trace Silicon Manipulation)
생체 규소 조작(Bio-Silicon Manipulation)
규소 동소체 조작(Silicon Allotropy Manipulation)
규소 화합물 조작(Silicon Compound Manipulation)
- 유기 규소 조작(Organosilicon Manipulation)

특수형[]

규소 재생(Silicon Regeneration)
규소 권한 부여(Silicon Empowerment)
규소의 기운(Silicon Aura)
규소 치유(Silicon Healing)
규소 부정(Silicon Negation)
규소 부여(Silicon Bestowal)

각성기[]

규소 삭제(Silicon Deletion)
규소 창조(Silicon Creation)

변형/강화 능력[]

규소 관련[]

반도체 조작(Semiconductor Manipulation)
규소 동위원소 조작(Silicon Isotope Manipulation)

상위 능력[]

준금속 조작(Metalloid Manipulation)
유리 조작(Glass Manipulation)
금속 조작(Metal Manipulation)
탄소족 조작(Carbon Group Manipulation)
주기율표 조작(Periodic Table Manipulation)

한계점 및 단점[]

거리, 질량, 정밀도 등은 사용자의 지식, 기술, 강도에 따라 달라집니다.
능력이 약하거나 불안정할 경우 규소를 창조하지 못하고 기존 소스에서만 조작이 가능합니다.
규소 이외의 다른 금속은 조작이 불가능 합니다.

각주[]

↑ Standard Atomic Weights: Silicon (표준 원자량: 규소) 2009 작성
↑ 영문 위키백과 규소 문서

[1] Standard Atomic Weights: Silicon (표준 원자량: 규소) 2009 작성

[2] 영문 위키백과 규소 문서

[1]

[2]

초능력 위키