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갈륨 조작
Gallium Manipulation
갈륨 결정의 모습.
힘/능력: 갈륨을 조작하십시오.
갈륨 (31Ga)
갈륨 개요
영어명 Gallium
한자명
표준 원자량
Ar, 표준(Ga)
69.723  ± 0.001
69.723 ± 0.001 (축약)[1]
주기율표에서의 갈륨
수소 조작 (이원자 비금속)
헬륨 조작 (비활성 기체)
리튬 조작 (알칼리 금속)
베릴륨 조작 (알칼리 토금속)
붕소 조작 (준금속)
탄소 조작 (다원자 비금속)
질소 조작 (이원자 비금속)
산소 조작 (이원자 비금속)
플루오린 조작 (이원자 비금속)
네온 조작 (비활성 기체)
나트륨 조작 (알칼리 금속)
마그네슘 조작 (알칼리 토금속)
알루미늄 조작 (전이후 금속)
규소 조작 (준금속)
인 조작 (다원자 비금속)
황 조작 (다원자 비금속)
염소 조작 (이원자 비금속)
아르곤 조작 (비활성 기체)
칼륨 조작 (알칼리 금속)
칼슘 조작 (알칼리 토금속)
스칸듐 조작 (전이 금속)
티타늄 조작 (전이 금속)
바나듐 조작 (전이 금속)
크로뮴 조작 (전이 금속)
망간 조작 (전이 금속)
철 조작 (전이 금속)
코발트 조작 (전이 금속)
니켈 조작 (전이 금속)
구리 조작 (전이 금속)
아연 조작 (전이후 금속)
갈륨 조작 (전이후 금속)
저마늄 조작 (준금속)
비소 조작 (준금속)
셀레늄 조작 (다원자 비금속)
브로민 조작 (이원자 비금속)
크립톤 조작 (비활성 기체)
루비듐 조작 (알칼리 금속)
스트론튬 조작 (알칼리 토금속)
이트륨 조작 (전이 금속)
지르코늄 조작 (전이 금속)
나이오븀 조작 (전이 금속)
몰리브데넘 조작 (전이 금속)
테크네튬 조작 (전이 금속)
루테늄 조작 (전이 금속)
로듐 조작 (전이 금속)
팔라듐 조작 (전이 금속)
은 조작 (전이 금속)
카드뮴 조작 (전이후 금속)
인듐 조작 (전이후 금속)
주석 조작 (전이후 금속)
안티모니 조작 (준금속)
텔루륨 조작 (준금속)
아이오딘 조작 (이원자 비금속)
제논 조작 (비활성 기체)
세슘 조작 (알칼리 금속)
바륨 조작 (알칼리 토금속)
란타넘족 조작 (란타넘족)
하프늄 조작 (전이 금속)
탄탈럼 조작 (전이 금속)
텅스텐 조작 (전이 금속)
레늄 조작 (전이 금속)
오스뮴 조작 (전이 금속)
이리듐 조작 (전이 금속)
백금 조작 (전이 금속)
금 조작 (전이 금속)
수은 조작 (전이후 금속)
탈륨 조작 (전이후 금속)
납 조작 (전이후 금속)
비스무트 조작 (전이후 금속)
폴로늄 조작 (전이후 금속)
아스타틴 조작 (준금속)
라돈 조작 (비활성 기체)
프랑슘 조작 (알칼리 금속)
라듐 조작 (알칼리 토금속)
악티늄족 조작 (악티늄족)
러더포듐 조작 (전이 금속)
더브늄 조작 (전이 금속)
시보귬 조작 (전이 금속)
보륨 조작 (전이 금속)
하슘 조작 (전이 금속)
마이트너륨 조작 (화학적 특성 불명)
다름슈타튬 조작 (화학적 특성 불명)
뢴트게늄 조작 (화학적 특성 불명)
코페르니슘 조작 (화학적 특성 불명)
니호늄 조작 (화학적 특성 불명)
플레로븀 조작 (전이후 금속)
모스코븀 조작 (화학적 특성 불명)
리버모륨 조작 (화학적 특성 불명)
테네신 조작 (화학적 특성 불명)
오가네손 조작 (화학적 특성 불명)
우누넨늄 조작 (화학적 특성 불명)
운비닐륨 조작 (화학적 특성 불명)
슈퍼악티늄족 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
란타넘 조작 (란타넘족)
세륨 조작 (란타넘족)
프라세오디뮴 조작 (란타넘족)
네오디뮴 조작 (란타넘족)
프로메튬 조작 (란타넘족)
사마륨 조작 (란타넘족)
유로퓸 조작 (란타넘족)
가돌리늄 조작 (란타넘족)
터븀 조작 (란타넘족)
디스프로슘 조작 (란타넘족)
홀뮴 조작 (란타넘족)
어븀 조작 (란타넘족)
툴륨 조작 (란타넘족)
이터븀 조작 (란타넘족)
루테튬 조작 (란타넘족)
악티늄 조작 (악티늄족)
토륨 조작 (악티늄족)
프로트악티늄 조작 (악티늄족)
우라늄 조작 (악티늄족)
넵투늄 조작 (악티늄족)
플루토늄 조작 (악티늄족)
아메리슘 조작 (악티늄족)
퀴륨 조작 (악티늄족)
버클륨 조작 (악티늄족)
캘리포늄 조작 (악티늄족)
아인슈타이늄 조작 (악티늄족)
페르뮴 조작 (악티늄족)
멘델레븀 조작 (악티늄족)
노벨륨 조작 (악티늄족)
로렌슘 조작 (악티늄족)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
운비우늄 조작 (화학적 특성 불명)
운비븀 조작 (화학적 특성 불명)
운비트륨 조작 (화학적 특성 불명)
운비쿼듐 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
가상 주기 원소 조작 (화학적 특성 불명)
Al

Ga

In
ZnGaGe
원자 번호 (Z) 31
13 (붕소족 원소)
주기 4 주기
구역    p-구역
화학 계열    전이후 금속
전자 배열 [Ar] 3d10 4s2 4p1
준위별
전자 수
2, 8, 18, 3
물리적 성질
겉보기 은색
상태 (STP) 고체
녹는점 302.9146 K (29.7646 °C, 85.5763 °F)
끓는점 2673 K (2400 °C, 4352 °F)
밀도 (상온 근처) 5.91 g/cm3
액체(녹는점)일 때 6.095 g/cm3
융해열 5.59 kJ/mol
기화열 256 kJ/mol
몰열용량 25.86 J/(mol·K)
증기 압력
압력 (Pa) 1 10 100 1 k 10 k 100 k
온도 (K) 1310 1448 1620 1838 2125 2518
원자의 성질
산화 상태 −5, −4, −3, −2, −1,
+1, +2, +3 (양쪽성 산화물)
전기 음성도 폴링 척도: 1.81
이온화 에너지
1차: 578.8 kJ/mol
2차: 1979.3 kJ/mol
3차: 2963 kJ/mol
원자 반지름 135 pm, (실험값)
공유 반지름 122±3 pm

갈륨의 스펙트럼선
그 밖의 성질
자연 발생 태고, 원시
결정 구조
사방정계
음속 (얇은 막대) 2740 m/s (20 °C)
열팽창 18 µm/(m·K) (25 °C)
열전도율 40.6 W/(m·K)
전도도
(전기 저항도)
270 nΩ·m (20 °C)
자기 정렬 반자성
자기화율
(자화율)
−21.6·10−6 cm3/mol
영률 9.8 GPa
푸아송 비 0.47
모스 굳기계 1.5
브리넬 굳기 56.8–68.7 MPa
CAS 번호 7440-55-3
역사
영어명 유래 발견자의 고향인 갈리아
(라틴어:프랑스) 후
예견 드미트리 멘델레예프 (1871)
발견 및 최초 분리 폴에밀 드부아보드랑 (1875)
갈륨의 주요 동위원소
동위체 붕괴
존재비 반감기
(t12)
모드 DE
(MeV)
DP
66Ga 합성 9.5 시간 β+ 4.153 66Zn
67Ga 합성 3.3 일 ε 1.001 67Zn
68Ga 합성 1.2 시간 β+ 1.899 68Zn
69Ga 60.11% 안정
70Ga 합성 21 분 β 1.653 70Ge
ε 0.655 70Zn
71Ga 39.89% 안정
72Ga 합성 14.1 시간 β 3.997 72Ge
73Ga 합성 4.9 시간 β 1.598 73Ge

보기  토론  편집


개요[]

갈륨을 조작하는 능력. 전이후 금속 조작(Poor Metal Manipulation)의 하위 능력. 반갈륨 조작(Anti-Gallium Manipulation)의 반대 능력. 칼륨 조작(Kalium Manipulation)과 혼동하지 마십시오.

다른 이름[]

  • 鎵操作/造作
  • Gallium Control

상세[]

사용자는 체온에서 액체가 되며 표준 온도와 압력에서 부드러운 은빛의 금속인 갈륨을 만들고, 모양을 형성하고, 조작할 수 있습니다. 이를 이용해 알루미늄 결합을 약하게 만들고 고성능 전자 장치의 냉각이나 반도체로 쓸 수 있습니다.

갈륨은 화학 원소로 기호는 Ga이고 원자 번호는 31입니다. 원소 갈륨은 표준 온도와 압력에서 부드러운 은빛의 금속입니다. 그러나 액체 상태에서는 은빛이 희게 됩니다. 너무 많은 힘을 가하면 갈륨이 조가비 모양(Conchoidally)으로 파열될 수 있습니다. 주기율표의 그룹 13에 속하므로 그룹의 다른 금속인 알루미늄, 인듐 및 탈륨과 유사성이 있습니다. 갈륨은 자연에서 자유 원소로서가 아니라 아연 광석과 보크사이트에서 미량에서 갈륨(II) 화합물로 발생합니다. 원소 갈륨은 29.76 °C (85.57 °F) 이상의 온도에서 액체이며, 37.0 °C (98.6 °F)의 정상 체온의 사람의 손에서 녹습니다.[2]

갈륨
이름
영문명 Gallium
한자명
위험
GHS 라벨링:
GHS05: 부식성
위험
(Danger)
H290, H318
P280, P305, P310, P338, P351
NFPA 704 (fire diamond)
NFPA 704 4색상 다이아몬드가연성 코드 0: 타지 않습니다. 예시)물건강 코드 1: 노출되면 자극이 발생하지만 잔류 부상만 약간 남습니다. 예) 테레빈유.반응성 코드 0: 화재 노출 조건에서도 일반적으로 안정적이며, 물로 반응하지 않습니다. 예) 액체 질소특수 위험 (흰색): 코드 없음
0
1
0

양상 및 용례[]

기본기[]

  • 갈륨 탐지(Gallium Detection)
  • 갈륨 염동력(Gallium-Telekinesis)

심화/응용[]

전투 계열[]

  • 갈륨 공격(Gallium Attacks)
  • 갈륨 방어(Gallium Defense)
  • 갈륨 전투(Gallium Combat)

조작 계열[]

  • 갈륨 연마(Gallium Polishing)
  • 갈륨 흡수(Gallium Absorption)
  • 갈륨 추출(Gallium Extraction)
  • 갈륨 강화(Gallium Strengthening)
  • 갈륨 연성 조작(Gallium Ductility Manipulation)
  • 갈륨 경도 조작(Gallium Hardness Manipulation)
  • 갈륨 강도 조작(Gallium Strength Manipulation)
  • 갈륨 피로 조작(Gallium Fatigue Manipulation)
  • 액체 갈륨 조작(Liquid Gallium Manipulation)
  • 기체 갈륨 조작(Gas Gallium Manipulation)
  • 갈륨 고체화(Gallium Solidification)
  • 갈륨 구축(Gallium Constructs)
  • 갈륨 약화(Gallium Weakening)
  • 갈륨 병합(Gallium Merging)
  • 갈륨 분리(Gallium Separation)
  • 갈륨 파괴(Gallium Destruction)
  • 갈륨 복원(Gallium Restoration)
  • 갈륨 붕괴 조작(Gallium Decay Manipulation)
  • 갈륨 변환(Gallium Conversion)
  • 갈륨 생성(Gallium Generation)

응용 계열[]

  • 갈륨 중독 유도(Gallium Poisoning Inducement)
  • 갈륨 중독 방지(Gallium Poisoning Prevention)
  • 갈륨 중독 치료(Gallium Poisoning Curing)
  • 갈륨 반응 조작(Gallium Reaction Manipulation)
    • 알루미늄 약화(Aluminium Weakening)
  • 갈륨 매개 반도체 조작(Gallium Mediation Semiconductor Manipulation)
  • 갈륨 합금 조작(Gallium Alloy Manipulation)
  • 갈륨 와이어 조작(Gallium Wire Manipulation)
  • 갈륨 촉수 조작(Gallium Tentacle Manipulation)
  • 갈륨 골렘 조작(Gallium Golem Manipulation)
  • 갈륨 무술(Gallium Martial Arts)
  • 갈륨 가루 조작(Gallium Dust Manipulation)
  • 미량 갈륨 조작(Trace Gallium Manipulation)
  • 생체 갈륨 조작(Bio-Gallium Manipulation)
  • 갈륨 화합물 조작(Gallium Compound Manipulation)

특수형[]

  • 갈륨 재생(Gallium Regeneration)
  • 갈륨 권한 부여(Gallium Empowerment)
  • 갈륨의 기운(Gallium Aura)
  • 갈륨 치유(Gallium Healing)
  • 갈륨 투명화(Gallium Invisibility)
  • 갈륨 부정(Gallium Negation)
  • 갈륨 부여(Gallium Bestowal)

각성기[]

  • 갈륨 의태(Gallium Mimicry)
  • 갈륨 삭제(Gallium Deletion)
  • 갈륨 창조(Gallium Creation)

변형/강화 능력[]

갈륨 관련[]

  • 갈륨 동위원소 조작(Gallium Isotope Manipulation)

상위 능력[]

한계점 및 단점[]

  • 전이후 금속 조작(Poor Metal Manipulation)은 사용자의 제어를 넘어서거나 중단할 수 있습니다.
  • 능력이 약하거나 불안정할 경우 갈륨을 창조할 수 없으며, 이미 존재하는 소스에서만 갈륨을 조작하는 것으로 제한될 수 있습니다.
  • 거리, 질량, 정밀도 등은 사용자의 지식, 기술 및 강도와 힘의 자연적 한계에 따라 달라집니다.
  • 갈륨은 일반 갈륨의 모든 것에 영향을 받지만, 사용자가 갈륨을 원래 모양으로 되돌리거나 이러한 힘으로도 갈륨을 완전히 제어할 수 있습니다.
    • 체온에 의해 녹을 수 있으며 극도의 열로 끓게 만들거나 증발시킬 수 있습니다. (불 조작, 마그마 조작)
    • 극도의 추운 곳에서 얼거나 부서질 수 있습니다. (동결 능력).

각주[]

  1. Standard Atomic Weights: Gallium (표준 원자량: 갈륨) 1987 작성
  2. Gallium (갈륨) Wikipedia (위키백과)(영어)
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